Американські фізики створили найменший у світі транзистор. Електронний компонент мікросхем має довжину затвора близько одного нанометра. Присвячене цьому дослідження опубліковано в журналі Science.
Зменшення довжини затвора досягнуто завдяки використанню в транзисторі сульфіду молібдену. Цей матеріал має, порівняно з кремнієм, нижчу діелектричну проникність, завдяки чому керування напругою на пристрої може досягатися затвором менших розмірів – вуглецевою нанотрубкою діаметром один нанометр.
Дослідження вчених показало можливість обійти закон Мура, який накладає обмеження на фізичні розміри електронних компонентів, за допомогою використання спеціально підібраних матеріалів та архітектури. Нині, згідно з цим законом, неможливі кремнієві транзистори з довжиною затвора менше ніж п’ять нанометрів.
Тим часом науковці не робили спроб компонування транзисторів на чипі й не бралися до вирішення проблеми паразитних струмів.
Наразі найпрогресивнішими вважаються кремнієві мікросхеми, створені за 14-нанометровим технологічним процесом. Провідні чипмейкери, зокрема Intel, Qualcomm і MediaTek, працюють над електронними компонентами наступного, 10-нанометрового, покоління.
