Тайваньские исследователи из компании Macronix разработали флэш-память, способную противостоять процессу износа, сообщает IEEE Spectrum
В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи предложили подвергнуть ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия). Утверждается, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 тысяч до ста миллионов и более.
«Нагреватели» было решено расположить прямо на схеме таким образом, чтобы каждый из них охватывал лишь небольшую группу ячеек. Вводить в действие «нагреватели» планируется поочередно. При этом устройство, в котором задействована плата, — например, смартфон, — должно быть подключено к источнику питания, но при этом пребывать в неактивном состоянии.
Более подробно рассказать о разработке исследователи из Macronix планируют на конференции IEDM, которая состоится в Сан-Франциско 10-12 декабря.
Флэш-память используется в мобильных устройствах, SSD-дисках, USB-накопителях. Существуют различные методы продления срока ее службы. Один из них, получивший название «Wear levelling» («Нивелирование износа») подразумевает поочередное использование всех сегментов памяти вместо постоянной работы с одними и теми же ячейками.
