Специалисты Университета Райса в Техасе разработали технологию, благодаря которой емкость встроенной памяти в мобильных гаджетах может вырасти в сотни раз, достигнув терабайтов.
Ученые занимаются RRAM – виде энергонезависимой памяти (которая сохраняет данные при отсутствии электрического тока), базирующейся на принципе изменения сопротивления ячеек, пишет CNews.
В привычной флэш-памяти биты сохраняются как заряды, тогда как в RRAM требуемые размеры ячеек гораздо меньше, что позволяет хранить больше информации. Кроме того, новая технология позволяет с легкостью накладывать слои ячеек друг на друга для экономии занимаемую микросхемой площади.
Выпуск таких чипов стоит достаточно дорого, поскольку требует высокую температуру и напряжение. Техасские разработчики заверяют, что смогли решить оба вопроса. Отсутствие высокотемпературных процессов позволяет разместить RRAM элементы вместе с другими компонентами микросхемы без риска их расплавления.
Предложенная учеными ячейка такой памяти включает три слоя – две металлические пластины в роли электродов, а между ними – перфорированная пластинка из диоксида кремния с отверстиями. Благодаря кратковременной подаче тока на металл разработчики научились изменять показатель постоянного сопротивления конструкции.
“Почему бы вам не хранить все фильмы из вашей коллекции на iPhone? Вопрос не в желании, а в возможности. В вашем мобильнике просто нет такого объема памяти»”, – пояснил Джеймс Тур, профессор материаловедения в Университете Райса и глава исследовательской группы.
По его словам, такая возможность появится уже скоро: его команда намерена подписать первый договор на использование технологии в течение двух недель.
