Чип пам'яті HBM3E стане частиною графічних процесорів NVIDIA H200, забезпечуючи високу пропускну спроможність до 1,25 ТБ на секунду.
Південнокорейська компанія Samsung представила новий чип додатків штучного інтелекту (ШІ), який, як стверджує розробник, має найвищу на сьогоднішній день ємність. Подробиці передає News Samsung.
Пристрій під назвою HBM 3E 12H є першою у світі 12-стековою динамічною пам’яттю з довільним доступом DRAM HBM 3E. HBM або high bandwidth memory — це високопродуктивний інтерфейс ОЗП для DRAM із багатошаровим компонуванням кристалів у мікрозбірці. Він застосовується у високопродуктивних відеокартах і мережевих пристроях. DRAM — динамічна пам’ять із довільним доступом.
Постачальники галузевих послуг ШІ потребують HBM, і новий продукт Samsung має задовольнити цю потребу. Компанія-виробник заявляє, що чип пам’яті HBM3E 12H здатний забезпечити високу пропускну спроможність до 1,25 ТБ на секунду і має ємність 36 ГБ. Порівняно з попереднім 8-стековим HBM3 8H пропускна здатність і ємність новинки значно зросли — більш ніж на 50%.
HBM3E стане частиною графічних процесорів NVIDIA H200, які будуть поставлені в другому кварталі 2024 року. Це зробить H200 ще потужнішим, оскільки він зможе зберігати більше даних і дуже швидко їх обробляти. Приміром, у конкурентів, компанії Micron, пам’ять HBM3E може передавати понад 1,2 ТБ даних за секунду, однак у Samsung цей показник трохи вищий — 1,25 ТБ за секунду.
Примітно в новинці й те, що вона складається з 12 шарів, хоча за висотою дорівнює 8-шаровим HBM. Це вдалося, тому що експерти Samsung удосконалили матеріал для непровідної плівки (NCF), зробивши проміжок між чіпами в 7 мікрометрів і усунувши зазори між шарами. Ці зміни збільшили вертикальну щільність більш ніж на 20% порівняно з попереднім продуктом HBM3 8H. Таке вертикальне стекування забезпечило набагато щільнішу конфігурацію пам’яті та коротші з’єднання, що призвело до збільшення пропускної здатності та зниження енергоспоживання.
