Южнокорейская корпорация Samsung налаживает производство чипа памяти V-NAND (Vertical NAND), имеющего емкость в 1 Тбит.
Данный чип является структурой с продольно установленными стеками. Именно это позволило разработчикам повысить плотность хранения информации. Поэтому такой формат сильно отличается от традиционных 2D-решений.
Вывод на рынок чипов памяти V-NAND позволит компании выйти на новый уровень твердотельных накопителей большой емкости.
Объединение 16-ти схожих микросхем в одном корпусе позволит сконструировать накопитель емкостью 2 ТБ. Такие SSD вполне смогут заменить жесткие диски в емкостном плане, предлагая при этом более высокую производительность.
Планируется, что новые чипы памяти от Samsung появятся в гаджетах в 2018 году. Их применение возможно в разных устройствах: смартфонах, цифровых камерах, ноутбуках, компьютерах и др.
